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澤攸透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測(cè)量系統(tǒng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

澤攸透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測(cè)量系統(tǒng),是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實(shí)現(xiàn)低溫電學(xué)測(cè)量或全溫區(qū)測(cè)量功能。

產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2025-03-25
廠商性質(zhì):代理商
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PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測(cè)量系統(tǒng)

澤攸透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測(cè)量系統(tǒng),是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實(shí)現(xiàn)低溫電學(xué)測(cè)量或全溫區(qū)測(cè)量功能。

 

性能指標(biāo):

1.透射電子顯微鏡指標(biāo):

(1)兼容指*型號(hào)電鏡及極靴;

(2)單傾可選高傾角版本;

(3)可選雙傾版本,β角傾轉(zhuǎn)±25°(同時(shí)受限于極靴);

(4)測(cè)量電極數(shù)可選。

2.電學(xué)測(cè)量指標(biāo):

(1)包含一個(gè)電流電壓測(cè)試單元;

(2)電壓輸出最大±200 V,最小±100 nV;

(3)電流測(cè)量最大±1.5 A,最小100 fA;

(4)恒壓或者恒流模式;

(5)自動(dòng)電流-電壓(I-V)測(cè)量、電流-時(shí)間(I-t)測(cè)量,自動(dòng)保存。

3.低溫指標(biāo):

(1)兼容MEMS加熱及電學(xué)芯片;

(2)全溫區(qū)測(cè)量,溫度范圍:85 K- 380 K;

(3)控溫穩(wěn)定性:優(yōu)于±0.1 K;

(4)溫度連續(xù)可控。

 

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